[发明专利]封装结构及其形成方法有效
申请号: | 201710826799.3 | 申请日: | 2017-09-14 |
公开(公告)号: | CN109309073B | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
发明(设计)人: | 余振华;余俊辉;余国宠 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 顾伯兴 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本揭露实施例提供一种封装结构及其形成方法。封装结构包括管芯、封装体以及重布线路结构。封装体位于管芯的侧边。重布线路结构与管芯电性连接。重布线路结构包括第一介电层以及第一重布线路层。第一介电层位于封装体及管芯上。第一重布线路层嵌入于第一介电层中,其包括种子层及导体层。种子层环绕导体层的侧壁,并位于导体层及第一介电层之间。 | ||
搜索关键词: | 封装 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种封装结构,包括:管芯;封装体,位于所述管芯的侧边;以及重布线路结构,与所述管芯电性连接,包括:第一介电层,位于所述封装体及所述管芯上;以及第一重布线路层,嵌入于所述第一介电层中,其中所述第一重布线路层包括种子层及导体层,其中所述种子层环绕所述导体层的侧壁,并位于所述导体层与所述第一介电层之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710826799.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体封装
- 下一篇:半导体封装件及其形成方法