[发明专利]平面MOS器件及其制造方法

摘要

本发明属于半导体功率器件技术领域，具体涉及到一种平面MOS器件及其制造方法，本发明将普通平面MOS位于JEFT区域上部的栅极通过刻蚀的方式去掉并填充绝缘介质，利用此方式有效降低JEFT电阻和Qgd，本发明制造工艺简单，其工艺方法能够完全与普通平面MOS工艺步骤兼容，成本低，结构新颖，具有良好的电特性和可靠性，能有效降低器件导通电阻和Qgd，减小器件导通损耗和开关损耗，从而达到节能减排的目的。

主权项

一种平面MOS器件，由至少一个单胞器件组成，每个单胞器件包括第一导电类型漏极区、位于所述第一导电类型漏极区上方的N+单晶硅衬底以及N‑外延层、位于所述N‑外延层上方的P型阱区层、位于所述P型阱区层上方的N+源极区层、位于所述N+源极区层上方的绝缘介质层、及位于所述绝缘介质层上方的源极金属区层，其特征在于，还包括：栅氧化层，其与所述P型阱区层和N+源极区层以及P型阱区接触；多晶硅层，其与栅氧化层接触，顶部和侧壁与所述绝缘介质层接触；接触孔，所述接触孔穿过绝缘介质层延伸至所述N‑外延层，与所述N‑外延层和所述N+源极区层接触，所述接触孔内填充有金属，所述金属的顶端连接所述源极金属区层；其中，所述单胞器件中的栅极区中心位置由所述绝缘介质层填充，所述绝缘介质层下方与N‑外延层接触，上方与所述源极金属区层底部接触。