[发明专利]对氧化硅和氮化硅有选择地进行蚀刻的方法有效
| 申请号： | 201710827662.X | 申请日： | 2017-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN107833831B | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 后平拓;冨永翔 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供有选择地且高效地蚀刻氧化硅和氮化硅的方法。一实施方式的方法包括：在腔室内准备被加工物的步骤；在被加工物的温度被设定为第一温度的状态，在腔室内生成含有碳、氢和氟的处理气体的等离子体，来对被加工物的氧化硅进行蚀刻的步骤；在被加工物的温度被设定为比第一温度高的第二温度的状态，在腔室内生成含有碳、氢和氟的处理气体的等离子体，来对被加工物的氮化硅进行蚀刻的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 氮化 选择 进行 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
一种对氧化硅和氮化硅有选择地进行蚀刻的方法，其特征在于，包括：在由等离子体处理装置所具有的腔室主体提供的腔室内准备被加工物的步骤；在所述被加工物的温度被设定为第一温度的状态下，在所述腔室内生成含有碳、氢和氟的处理气体的等离子体，来对所述被加工物的氧化硅进行蚀刻的步骤；和在所述被加工物的温度被设定为比所述第一温度高的第二温度的状态下，在所述腔室内生成含有碳、氢和氟的处理气体的等离子体，来对所述被加工物的氮化硅进行蚀刻的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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