[发明专利]一种太阳能电池片制备方法有效
| 申请号： | 201710828826.0 | 申请日： | 2017-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN107611220B | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 何长春;仇杰;葛竖坚;翟贝贝 | 申请（专利权）人： | 东方日升新能源股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 胡拥军 |
| 地址： | 315609 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种太阳能电池片制备方法，包括镀膜前处理步骤、镀减反射膜步骤以及镀膜后处理步骤，其中，镀减反射膜步骤具体为：将经过镀膜前处理的硅片装入不成膜饱和的石墨舟内进行PECVD镀膜，石墨舟在使用70～90次后，进行1次清洗处理，清洗完成后的石墨舟装入PECVD管内，进行不成膜饱和，不成膜饱和完成后，继续用于硅片镀膜。采用本发明的工艺大大降低了太阳能电池片边缘发白的现象，提高了太阳能电池片的色差均匀性，降低了产品的不良率，节约成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种太阳能电池片制备方法，包括镀膜前处理步骤、镀减反射膜步骤以及镀膜后处理步骤，其特征在于，所述镀减反射膜步骤具体为：将经过镀膜前处理的硅片装入不成膜饱和的石墨舟内进行PECVD镀膜，石墨舟在使用70～90次后，进行1次清洗处理，清洗完成后的石墨舟装入PECVD管内，进行不成膜饱和，不成膜饱和完成后，继续用于硅片镀膜，所述不成膜饱和的具体步骤为：向PECVD管内只通入氨气5000～7000sccm，压强为1000～2000Pa，反应温度为300～500℃，反应时间为1～2小时。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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