[发明专利]半导体发光元件有效
| 申请号： | 201710828987.X | 申请日： | 2017-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN107819060B | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 陈昭兴;王佳琨;曾咨耀;蒋宗勋;胡柏均;庄文宏;林昱伶 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/62;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体发光元件，包含一半导体堆叠，具有一第一半导体层，一第二半导体层以及一主动层；多个第一沟槽穿过第二半导体层及主动层以露出第一半导体层；一第二沟槽穿过第二半导体层及主动层以露出第一半导体层，其中第二沟槽靠近主动层的一最外侧，并环绕主动层及多个第一沟槽；一图案化金属层位于第二半导体层上，及多个第一沟槽之一内或第二沟槽内；以及一第一焊接部和一第二焊接部位于第二半导体层上，并分别电连接至第二半导体层和第一半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
一种半导体发光元件，包含：半导体堆叠，包含第一半导体层，第二半导体层，以及主动层位于该第一半导体层和该第二半导体层之间；多个第一沟槽，穿过该第二半导体层和该主动层以裸露该第一半导体层；第二沟槽，穿过该第二半导体层和该主动层以裸露该第一半导体层，其中该第二沟槽位于该主动层的一最外侧，并环绕该主动层及该多个第一沟槽；图案化金属层，位于该第二半导体层上，并填入于该多个第一沟槽的一个内或该第二沟槽内；第一焊接部，位于该第二半导体层上，并电连接至该第二半导体层；以及第二焊接部，位于该第二半导体层上，并电连接至该第一半导体层。
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