[发明专利]一种半导体晶片的制作方法在审
| 申请号： | 201710830314.8 | 申请日： | 2017-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN107658211A | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | 贺勇;邓有财;邱树添 | 申请（专利权）人： | 厦门三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种半导体晶片的制作方法，在晶片生长完外延层后，由于外延沉积的特性，在外延层边缘存在外延凸起，利用新型打磨砂轮消除晶片的外延凸起，进一步对晶片边缘进行倒角，之后进行半导体芯片工艺，消除外延凸起后的晶片在芯片工艺中体现出更良好的加工特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 晶片 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体芯片的制作工艺，包括步骤：提供衬底；在衬底上生长外延层，制作得外延层晶片；对外延层晶片进行倒角；在外延层晶片进行芯片工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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