[发明专利]在晶片上制造对准标记的方法以及对准标记的结构有效
| 申请号： | 201710830577.9 | 申请日： | 2017-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN109509738B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 李洪涛 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种在晶片上制造对准标记的方法以及对准标记的结构，在晶片上制造对准标记的方法包括在晶片上图案化出网状的划线，其中所述划线定义出多个元件区域。对所述晶片进行第一注入制作工艺，以在所述划线内形成多个注入标记于所述晶片中。对所述晶片进行第二注入制作工艺，其中所述第二注入制作工艺的位置是依据所述多个注入标记的位置为参考。本发明也提出对准标记的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 制造 对准 标记 方法 以及 结构 | ||
【主权项】：
1.一种在晶片上制造对准标记的方法，其特征在于，包括：在晶片上图案化出网状的划线，其中所述划线定义出多个元件区域；对所述晶片进行第一注入制作工艺，以在所述划线内形成多个注入标记于所述晶片中；以及对所述晶片进行第二注入制作工艺，其中所述第二注入制作工艺的位置是依据所述多个注入标记的位置为参考位置。
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