[发明专利]提高锑化物基Ⅱ类超晶格材料质量的方法

摘要

本发明提高锑化物基Ⅱ类超晶格材料质量的方法，步骤一在高真空腔室中，执行材料的生长；步骤二对于需要提高材料质量的部分，在生长过程进行到该部分时，开启原子氢源的束流覆盖材料表面，原子氢源的激发功率为50‑200W，期间的真空度为1×10‑8‑1×10‑6Torr；步骤三高质量材料的部分生长完毕后，关闭原子氢源，之后可继续执行后续的材料生长工艺。本发明以原子氢来辅助超晶格材料的分子束外延生长过程，有效地提高了样品的载流子迁移率，这表明本发明的方法钝化了材料中的杂质、抑制了缺陷的形成，可得到高质量的Ⅱ类超晶格材料。

主权项

提高锑化物基Ⅱ类超晶格材料质量的方法，其特征在于,包括以下步骤：步骤一：在高真空腔室中，执行材料的生长；步骤二：对于需要提高材料质量的部分，在生长过程进行到该部分时，开启原子氢源的束流覆盖材料表面，原子氢源的激发功率为50‑200W，期间的真空度为1×10‑8‑1×10‑6Torr；步骤三：高质量材料的部分生长完毕后，关闭原子氢源，之后可继续执行后续的材料生长工艺。