[发明专利]薄膜晶体管、其制造方法及电子装置有效
| 申请号： | 201710835326.X | 申请日： | 2017-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN109509793B | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 王骏;黄中浩;赵永亮;林承武 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/41;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种薄膜晶体管、其制造方法及电子装置，所述薄膜晶体管包括基板、设置于所述基板上的栅极、栅极绝缘层、有源层以及源极和漏极，所述有源层包括位于所述源极和所述漏极之间的沟道区，所述沟道区包括沿沟道长度方向的边缘区域以及边缘区域以外的主体区域，所述薄膜晶体管还包括位于所述栅极和所述有源层之间的辅助层，所述辅助层与所述沟道区的边缘区域在所述基板上的投影至少部分重叠，所述辅助层用于提高所述沟道区边缘区域的导通电压。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括基板、设置于所述基板上的栅极、栅极绝缘层、有源层以及源极和漏极，所述有源层包括位于所述源极和所述漏极之间的沟道区，所述沟道区包括沿沟道长度方向的边缘区域以及边缘区域以外的主体区域，其中，所述薄膜晶体管还包括位于所述栅极和所述有源层之间的辅助层，所述辅助层与所述沟道区的边缘区域在所述基板上的投影至少部分重叠，所述辅助层用于提高所述沟道区边缘区域的导通电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710835326.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
