[发明专利]Tl-2223超导薄膜的制备方法有效
申请号: | 201710837904.3 | 申请日: | 2017-09-18 |
公开(公告)号: | CN107482110B | 公开(公告)日: | 2019-07-26 |
发明(设计)人: | 谢清连;陈名贤;唐平英;蒋艳玲;黄佳;蒙美娘;黄国华 | 申请(专利权)人: | 广西师范学院 |
主分类号: | H01L39/12 | 分类号: | H01L39/12;H01L39/24;C23C18/12 |
代理公司: | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 | 代理人: | 靳浩 |
地址: | 530299 广西*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | 本发明公开了一种Tl‑2223超导薄膜的制备方法,使用银箔或金箔将含铊的非晶态先驱膜与含铊的陪烧靶密封包裹,并在密封氩气或流氧环境中烧结;其中,含铊的非晶态先驱膜的Tl、Ba、Ca、Cu的金属离子摩尔比为2.4~4.5:2:2:3.2~3.8;含铊的陪烧靶由金属离子摩尔比为Tl:Ba:Ca:Cu=0.8~1.2:2:1~2:2~3的Ba、Ca、Cu的氧化物与Tl2O3烧结制得。本发明能够快速越过Tl‑1212、Tl‑2212、Tl‑1223等低温相的成相温区,直接到达Tl‑2223超导相温区,从而制备出纯相薄膜,具有升降温时间和恒温时间短、生产成本低的优点。 | ||
搜索关键词: | tl 2223 超导 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种Tl‑2223超导薄膜的制备方法,其特征在于,使用银箔或金箔将含铊的非晶态先驱膜与含铊的陪烧靶密封包裹,并在密封氩气或流氧环境中烧结:氩气环境中:在0~650℃温区,升温速度0.5~20℃/s,在650~850℃温区,升温速度10~40℃/s,在烧结温度830~850℃恒温5~20min,在冷却循环水作用下降至室温,转移至流氧环境中,以速度1~20℃/s升温至400~710℃温区恒温20~60min,冷却,即得;或流氧环境中:在0~650℃温区,升温速度0.5~20℃/s,在650~930℃温区,升温速度10~40℃/s,在烧结温度918~930℃恒温2~5min,在冷却循环水作用下降至室温,即得;其中,含铊的非晶态先驱膜的Tl、Ba、Ca、Cu的金属离子摩尔比为2.4~4.5:2:2:3.2~3.8;含铊的陪烧靶由金属离子摩尔比为Tl:Ba:Ca:Cu=0.8~1.2:2:1~2:2~3的Ba、Ca、Cu的氧化物与Tl2O3烧结制得。
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