[发明专利]一种柔性基SmCo永磁薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201710838725.1 | 申请日： | 2017-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN107675131B | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 杨青慧;梁峥;张怀武;金立川;马博;肖勇 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/16 | 分类号： | C23C14/16;C23C14/00;H01F1/055;H01F41/02 |
| 代理公司： | 51203 电子科技大学专利中心 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种柔性基SmCo永磁薄膜的制备方法，属于柔性薄膜制备技术领域。首先，在Si基底上沉积SmCo永磁薄膜；然后将得到的薄膜在600～900℃温度下进行退火处理；最后将退火处理后的SmCo永磁薄膜采用剥离的方式实现从Si基片上转移至柔性衬底上的过程，即可得到所述柔性基SmCo永磁薄膜。本发明利用SmCo永磁薄膜和Si基片的热膨胀系数差异大、附着力较弱的特点，提出了通过剥离的方式实现将SmCo永磁薄膜从Si基片上转移至柔性衬底上的方法，操作简单，成本低，易于实现。 | ||
| 搜索关键词： | 永磁薄膜 退火处理 衬底 附着力 剥离 热膨胀系数差异 制备技术领域 柔性薄膜 基底 沉积 制备 薄膜 | ||
【主权项】：
1.一种柔性基SmCo永磁薄膜的制备方法，包括以下步骤：/n步骤1：选取Si基片作为基底，将Si基片在丙酮中超声清洗，氮气吹干；/n步骤2：采用磁控溅射或射频溅射法在步骤1清洗干净的Si基片上沉积厚度为1μm以上的SmCo永磁薄膜；/n步骤3：将步骤2得到的带SmCo永磁薄膜的Si基片置于退火炉内，以5～15℃/min的升温速率由室温升至600～900℃，在600～900℃温度下保温20min～60min，待退火炉自然冷却至室温后，取出退火后的带SmCo永磁薄膜的Si基片；/n步骤4：在步骤3得到的退火后的带SmCo永磁薄膜的Si基片上均匀滴加液态柔性衬底材料，滴加量为0.05～1mL/cm
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