[发明专利]一种半导体薄膜材料有效

专利信息
申请号: 201710841797.1 申请日: 2017-09-18
公开(公告)号: CN107604333B 公开(公告)日: 2020-03-10
发明(设计)人: 郑之永;谢致薇;张雅丽;杨元政;许佳雄 申请(专利权)人: 广东工业大学
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/08;B01J23/86
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 张春水;唐京桥
地址: 510062 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本申请属于光催化材料制备领域,具体涉及一种半导体薄膜材料。本发明所提供的半导体薄膜材料由磁控溅射法在衬底的表面交替沉积CuCrO2薄膜和CuO薄膜制得。本发明通过两种半导体薄膜材料的复合以及纳米尺寸效应,在提高光吸收的同时,有效地改善了本发明材料的光催化活性。因此,本发明半导体薄膜材料的制备简单,成本低廉,在太阳能开发与利用方面具有较好的前景。
搜索关键词: 一种 半导体 薄膜 材料
【主权项】:
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