[发明专利]积层复合体、半导体元件承载基板、半导体元件形成晶片、半导体装置及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201710842002.9 申请日: 2013-02-07
公开(公告)号: CN107706159A 公开(公告)日: 2018-02-16
发明(设计)人: 塩原利夫;秋叶秀树;关口晋 申请(专利权)人: 信越化学工业株式会社
主分类号: H01L23/29 分类号: H01L23/29;H01L23/31;H01L21/56;H01L23/48
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司72003 代理人: 李英艳,张永康
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明是一种密封材料积层复合体,其用于总括密封承载有半导体元件的基板的半导体元件承载面、或形成有半导体元件的晶片的半导体元件形成面,其特征在于,由支持晶片及未固化树脂层构成;该支持晶片由硅构成,该未固化树脂层由被形成于该支持晶片的一面上的未固化的热固化性树脂构成。由此,可以提供一种密封材料积层复合体,所述密封材料积层复合体即使在密封通用性非常高、大直径或薄型的基板/晶片的情况,也能够抑制基板/晶片的翘曲、及半导体元件的剥离,并能够以晶片级总括密封承载有半导体元件的基板的半导体元件承载面、或形成有半导体元件的晶片的半导体元件形成面,且密封后的耐热性和耐湿性等优异。
搜索关键词: 复合体 半导体 元件 承载 形成 晶片 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
一种密封材料积层复合体,其用于总括密封承载有半导体元件的基板的半导体元件承载面、或形成有半导体元件的晶片的半导体元件形成面;其特征在于,由支持晶片及未固化树脂层构成;该支持晶片由硅构成,该未固化树脂层由被形成于该支持晶片的一面上的未固化的热固化性树脂构成。
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