[发明专利]半导体存储装置、控制器及其操作方法在审
| 申请号： | 201710846920.9 | 申请日： | 2017-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN108062965A | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | 金落显;朴岷圭;李珉圭 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/18 | 分类号： | G11C29/18;G11C29/26 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;刘久亮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体存储装置、控制器及其操作方法。一种半导体存储装置包括存储单元阵列、读/写电路、控制逻辑和块缺陷信息存储单元。所述控制逻辑控制所述读/写电路对所述存储单元阵列执行读/写操作。所述块缺陷信息存储单元存储关于所述存储单元阵列的存储块的访问记录和在所述存储块中是否发生缺陷的信息。当请求操作的性能时，所述控制逻辑控制所述读/写电路参照所述块缺陷信息存储单元的访问记录来确定所述存储块是否是被首次访问，并且基于确定来执行所述存储块的字线测试。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 控制器 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，该半导体存储装置包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储块；读/写电路，所述读/写电路被配置为将数据写入所述存储单元阵列或者从所述存储单元阵列读取数据；控制逻辑，所述控制逻辑被配置为控制所述读/写电路对所述存储单元阵列执行读/写操作；以及块缺陷信息存储单元，所述块缺陷信息存储单元被配置为存储所述多个存储块的访问记录和关于在所述多个存储块中是否发生缺陷的信息，其中，当请求对所述多个存储块当中的任意一个存储块执行操作时，所述控制逻辑基于所述访问记录确定是否对所述存储块执行字线测试，并且基于确定对所述存储块执行所请求的操作。
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