[发明专利]一种漏电保护型自举采样开关电路及设备有效

专利信息
申请号: 201710848077.8 申请日: 2017-09-19
公开(公告)号: CN107465407B 公开(公告)日: 2023-07-28
发明(设计)人: 张莉莉;曹淑新 申请(专利权)人: 豪威模拟集成电路(北京)有限公司
主分类号: H03K17/22 分类号: H03K17/22;H03K17/284;H03K17/16;H03K17/687
代理公司: 北京亿腾知识产权代理事务所(普通合伙) 11309 代理人: 陈霁
地址: 100094 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种漏电保护型自举采样开关电路及设备,其中,漏电保护型自举采样开关电路,包括:漏电保护型栅压自举电路、栅压复位电路和NMOS开关电路;所述漏电保护型栅压自举电路,包括漏电保护开关;所述漏电保护开关一端连接电源VDD,另一端连接MOS管,在时钟为高电平期间断开所述电源VDD与所述MOS管的连接;所述NMOS开关电路包括N型MOS管M9和M10;N型MOS管M9作为采样开关,其栅端电压由漏电保护型栅压自举电路和栅压复位电路控制;N型MOS管M10作为采样开关M9的DUMMY管,用来消除沟道注入电荷的影响,其栅端的控制时序与采样开关M9的栅端的控制时序相反,通过时钟CLK经过一段时间延时得到。本发明满足较高要求的线性度,和解决常用的自举采样开关的漏电问题。
搜索关键词: 一种 漏电 保护 采样 开关电路 设备
【主权项】:
一种漏电保护型自举采样开关电路,包括:漏电保护型栅压自举电路、栅压复位电路和NMOS开关电路;其特征在于,所述漏电保护型栅压自举电路,包括漏电保护开关;所述漏电保护开关一端连接电源VDD,另一端连接MOS管,在时钟为高电平期间断开所述电源VDD与所述MOS管的连接;所述NMOS开关电路包括N型MOS管M9和M10;其中,N型MOS管M9作为采样开关,其栅端电压由漏电保护型栅压自举电路和栅压复位电路控制;N型MOS管M10作为采样开关M9的DUMMY管,用来消除沟道注入电荷的影响,其栅端的控制时序与采样开关M9的栅端的控制时序相反,通过时钟CLK经过一段时间延时得到。
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