[发明专利]基板处理方法和基板处理装置有效
申请号: | 201710850685.2 | 申请日: | 2017-09-20 |
公开(公告)号: | CN107871691B | 公开(公告)日: | 2022-01-04 |
发明(设计)人: | 吉原直彦;奥谷学;太田乔;阿部博史 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 宋晓宝;向勇 |
地址: | 日本京都*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供能由有机溶剂良好地处理基板,并使基板良好地干燥的基板处理方法和装置。该方法包括:基板保持工序,将基板保持为水平;基板旋转工序,使基板以沿着铅垂方向的旋转轴线为中心旋转;液膜形成工序,向基板的上表面供给处理上表面的第一有机溶剂,在上表面形成第一有机溶剂的液膜;蒸气供给工序,向具有与基板的下表面相向的相向面的加热器单元的相向面和下表面之间的空间,供给第二有机溶剂的蒸气;基板加热工序,与基板旋转工序和液膜形成工序并行,由第二有机溶剂的蒸气加热旋转状态的基板;基板干燥工序,在基板加热工序后,从基板排除第一有机溶剂的液膜,使基板停止旋转,在将基板与加热器单元接触的状态下,使基板的上表面干燥。 | ||
搜索关键词: | 处理 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种基板处理方法,包括:基板保持工序,将基板保持为水平;基板旋转工序,使保持为水平的所述基板以沿着铅垂方向的旋转轴线为中心旋转;液膜形成工序,向保持为水平的所述基板的上表面供给用于处理所述基板的上表面的第一有机溶剂,从而在所述基板的上表面形成所述第一有机溶剂的液膜;蒸气供给工序,向具有与保持为水平的所述基板的下表面相向的相向面的加热器单元的所述相向面和,所述基板的下表面之间的空间,供给第二有机溶剂的蒸气;基板加热工序,与所述基板旋转工序和所述液膜形成工序并行,利用所述第二有机溶剂的蒸气加热旋转状态的所述基板;以及基板干燥工序,在所述基板加热工序后,从保持为水平的所述基板排除所述第一有机溶剂的液膜,使所述基板停止旋转,并且,在将所述基板与所述加热器单元接触的状态下,使所述基板的上表面干燥。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造