[发明专利]一种高耐电强度的线性介质陶瓷及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201710851674.6 申请日: 2017-09-19
公开(公告)号: CN107473734B 公开(公告)日: 2020-07-10
发明(设计)人: 陈莹;黄叶;李鑫;董显林 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: C04B35/478 分类号: C04B35/478
代理公司: 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 代理人: 曹芳玲;郑优丽
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种高耐电强度的线性介质陶瓷及其制备方法,所述线性介质陶瓷的化学组成按照折算为氧化物的方式包括aCaO‑bMgO‑cAl2O3‑dSiO2‑eTiO‑xMO,其中a、b、c、d、e、x为质量百分比,0.03≤a≤0.12,0.02≤b≤0.10,0.25≤c≤0.40,0.05≤d≤0.25,0.40≤e≤0.60且满足a+b+c+d+e=1,0<x≤0.025;所述金属氧化物MO为MnO2、CeO2、Nb2O5、La2O3、Ni2O3和ZrO2中的至少一种。本发明采用传统固相法制备工艺,简单且烧结温度低,适合工业化大规模生产。
搜索关键词: 一种 高耐电 强度 线性 介质 陶瓷 及其 制备 方法
【主权项】:
一种具有高耐电强度的线性介质陶瓷,其特征在于,所述线性介质陶瓷的化学组成按照折算为氧化物的方式包括aCaO‑bMgO‑cAl2O3‑dSiO2‑eTiO‑xMO,其中a、b、c、d、e、x为质量百分比,0.03≤a≤0.12,0.02≤b≤0.10,0.25≤c≤0.40,0.05≤d≤0.25,0.40≤e≤0.60且满足a+b+c+d+e=1,0<x≤0.025;所述金属氧化物MO为MnO2、CeO2、Nb2O5、La2O3、Ni2O3和ZrO2中的至少一种。
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