[发明专利]一种制备ZnO类晶体薄膜的方法及设备

摘要

本发明公开了一种制备ZnO类晶体薄膜的方法及设备，属于光电功能半导体材料领域，能够实现循环制备ZnO类晶体薄膜。该方法将硝酸锌、六次甲基四胺和硝酸铜溶于去离子水中，得到混合溶液中硝酸锌、六次甲基四胺和硝酸铜的浓度为0.2‑0.3mol:0.02‑0.05mol:0.5‑5mmol，将生长有ZnO种晶层的Si衬底材料置于混合溶液中，在80℃‑100℃温度下反应。本发明还提供一种循环阵列式水溶液法制备ZnO类晶体薄膜的设备。本发明具有膜厚可控、设备简单、操作简便、成本低、可大批量制备等特点，同时反应条件温和，可控性和重复性较强，适用于ZnO类晶体薄膜的大量生产和实现工业化推广应用。

主权项

一种制备ZnO类晶体薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：制备溶液，将六水合硝酸锌(Zn(NO3)2▪6H2O)，六次甲基四胺(Hexamethylenetetramine, HMTA) 和硝酸铜(Cu(NO3)2)按比例0.2‑0.3mol: 0.02‑0.05mol: 0.5‑5mmol溶于去离子水中，得到混合溶液；将表面溅射ZnO种晶层的衬底材料放置于所述的混合溶液中；将所述混合溶液温度从室温升到预定温度80℃‑100℃，升温速度为10℃/min；反应结束后，取出衬底材料，去离子水冲洗干净，放入真空干燥箱在60℃‑80℃下进行烘干。