[发明专利]一种发光二极管的外延片的制备方法在审
| 申请号： | 201710852359.5 | 申请日： | 2017-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN107863422A | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 孙玉芹;董彬忠;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管的外延片的制备方法，属于光电子技术领域。该制备方法包括提供一衬底；在衬底上生长缓冲层；对缓冲层进行温度稳定处理，温度稳定处理包括将生长有缓冲层的衬底置于1000～1050℃环境下，持续时间为t；在生长有缓冲层的衬底上依次生长三维GaN岛状层、n型GaN层、发光层和p型GaN层，通过在衬底上生长了缓冲层之后，对制作中的外延片进行温度稳定处理，将生长有缓冲层的衬底置于1000～1050℃环境下，并持续一段时间，再在缓冲层上依次生长三维GaN岛状层、n型GaN层、发光层和p型GaN层，可使生长出来的外延片厚度更加均匀，从而使该外延片制成的LED芯片发光波长分布更加均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底上生长AlN缓冲层；对所述AlN缓冲层进行温度稳定处理，所述温度稳定处理包括：将生长有所述AlN缓冲层的所述衬底置于1000～1050℃环境下，持续时间为t，0＜t≤10min；在生长有所述AlN缓冲层的所述衬底上依次生长三维GaN岛状层、n型GaN层、发光层和p型GaN层。
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