[发明专利]采用新型掺杂方式的PERT晶体硅太阳电池的制作方法

摘要

本发明公开了一种采用新型掺杂方式的PERT晶体硅太阳电池的制作方法，硅片采用B、P共扩工艺，正面P扩散，背面B扩散，硅片两片为一组，每组硅片采用竖直背靠背的方式进行扩散，两片硅片背面之间插入纸状固态源B源，正面采用通三氯氧磷的方式进行正面磷扩散；推进扩散炉在进行高温共扩散，使硅片的正面形成n+掺杂层，背面形成p+掺杂层。克服了背景技术中硅片正面和背面采取分别沉积的扩散方式所存在工序复杂且效率低的问题。

主权项

一种采用新型掺杂方式的PERT晶体硅太阳电池的制作方法，其特征在于包括以下步骤：(1)硅片单面制绒，清洗：选择P型硅片，对选择的P型硅片的双面在碱液下进行表面绒面化，然后在酸性条件下进行化学清洗，除去表面杂质；(2)采用B、P共扩工艺，正面P扩散，背面B扩散，硅片两片为一组，每组硅片采用竖直背靠背的方式进行扩散，两片硅片背面之间插入纸状固态源B源，正面采用通三氯氧磷的方式进行正面磷扩散；推进扩散炉在进行高温共扩散，使硅片的正面形成n+掺杂层，背面形成p+掺杂层；(3)刻蚀工序，清洗去除硅片表面残留的磷硅玻璃和硼硅玻璃；(4)背面单面沉积氧化铝/氮化硅叠层膜；(5)正面沉积氮化硅减反射膜；(6)背面局部打开薄膜，露出B掺杂层：背面进行金属化接触，具体采用激光在背面局部打开薄膜，露出B掺杂层，进行局域硅铝接触；(7)背面印刷背电极和铝层，正面印刷银栅线；(8)烧结，测试。