[发明专利]一种基于液晶电光波导的光学交叉互连器件有效

专利信息
申请号: 201710855251.1 申请日: 2017-09-20
公开(公告)号: CN107688250B 公开(公告)日: 2020-07-03
发明(设计)人: 张需明;李腾浩;陈庆明 申请(专利权)人: 香港理工大学深圳研究院
主分类号: G02F1/13 分类号: G02F1/13;G02F1/1334;G02F1/1343;G02F1/1337;G02F1/1333
代理公司: 长沙星耀专利事务所(普通合伙) 43205 代理人: 许伯严
地址: 518057 广东省深圳市南山区高新技术*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种基于液晶电光波导的光学交叉互连器件,包括光学交叉互连器件本体,所述光学交叉互连器件本体由基于液晶电光波导的光开关阵列组成,各个所述光开关通过驱动电压控制液晶电光波导的形成和消失,切换光束传播路径,实现N x N多端口光信号的交换。本发明在保证实现与MEMS器件相当的光学损耗、端口扩展性和切换速度的基础上,具有更小的器件尺寸、低驱动电压和能耗、良好的单片集成,以及更强的鲁棒性等优势,可以实现高性能的多端口光交换,以及良好的单片集成,适用于数据中心的交换应用,从而具有推广应用价值。
搜索关键词: 一种 基于 液晶 电光 波导 光学 交叉 互连 器件
【主权项】:
一种基于液晶电光波导的光学交叉互连器件,包括光学交叉互连器件本体,其特征在于:所述光学交叉互连器件本体由基于液晶电光波导(103)的光开关(1)阵列组成,每个所述光开关(1)可配置连接一个输入端口(2)和一个输出端口(3),所述光学交叉互连器件本体的表层设为上层SiO2层(4),所述上层SiO2层(4)的下方设有共地层(5),所述共地层(5)的下方设有上层取向膜层(6),所述上层取向膜层(6)的下方设有液晶层(7),所述液晶层(7)的下方设有下层取向膜层(8),所述下层取向膜层(8)的下方设有绝缘层(11),所述绝缘层(11)的内部设有驱动电极层(9)、金属防护层(10)和CMOS电开关阵列层(12),所述驱动电极层(9)与CMOS电开关阵列层(12)平行间隔设置,所述驱动电极层(9)与CMOS电开关阵列层(12)之间设有金属防护层(10),所述CMOS电开关阵列层(12)设置在硅基底(13)的上表面上。
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