[发明专利]一种大模场改进型多层沟槽光纤在审

专利信息
申请号: 201710857152.7 申请日: 2017-09-20
公开(公告)号: CN107367788A 公开(公告)日: 2017-11-21
发明(设计)人: 宁提纲;马绍朔;李晶 申请(专利权)人: 北京交通大学
主分类号: G02B6/02 分类号: G02B6/02
代理公司: 北京卫平智业专利代理事务所(普通合伙)11392 代理人: 董琪
地址: 100044 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种具有大模场面积的改进型多层沟槽光纤,属于大功率光纤放大器、激光器、特种光纤领域。该光纤在传统多层沟槽光纤的基础上,通过在低折射率沟槽上的增加泄露通道,有效提高光纤的单模传输特性,增加了模场面积。该光纤中心为高折射率纤芯(1),由内到外依次为低折射率沟槽和高折射率环交替环绕,低折射率沟槽层数为N(1≤N≤6),低折射率沟槽被M个泄露通道分割(1≤M≤4)。低折射率沟槽从内向外分割为(11,21,31,41)……(16,26,36,46),最外面是外包层(3)。本发明可以利用MCVD法结合钻孔与填充玻璃棒的方法制得,光纤预制棒低折射率沟槽上的泄漏通道,可以通过激光钻孔或机械钻孔的方法实现。
搜索关键词: 一种 大模场 改进型 多层 沟槽 光纤
【主权项】:
一种具有大模场面积的改进型多层沟槽光纤,其特征为:该光纤中心为高折射率纤芯(1),由内到外分布M×N个被泄露通道分割的低折射率沟槽,(11,21,……,M1)、(12,22,……,M2)、……、(1N,2N,……,MN),最外面是外包层(3);其中1≤N≤6,1≤M≤4。
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