[发明专利]一种大模场改进型多层沟槽光纤在审
申请号: | 201710857152.7 | 申请日: | 2017-09-20 |
公开(公告)号: | CN107367788A | 公开(公告)日: | 2017-11-21 |
发明(设计)人: | 宁提纲;马绍朔;李晶 | 申请(专利权)人: | 北京交通大学 |
主分类号: | G02B6/02 | 分类号: | G02B6/02 |
代理公司: | 北京卫平智业专利代理事务所(普通合伙)11392 | 代理人: | 董琪 |
地址: | 100044 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种具有大模场面积的改进型多层沟槽光纤,属于大功率光纤放大器、激光器、特种光纤领域。该光纤在传统多层沟槽光纤的基础上,通过在低折射率沟槽上的增加泄露通道,有效提高光纤的单模传输特性,增加了模场面积。该光纤中心为高折射率纤芯(1),由内到外依次为低折射率沟槽和高折射率环交替环绕,低折射率沟槽层数为N(1≤N≤6),低折射率沟槽被M个泄露通道分割(1≤M≤4)。低折射率沟槽从内向外分割为(11,21,31,41)……(16,26,36,46),最外面是外包层(3)。本发明可以利用MCVD法结合钻孔与填充玻璃棒的方法制得,光纤预制棒低折射率沟槽上的泄漏通道,可以通过激光钻孔或机械钻孔的方法实现。 | ||
搜索关键词: | 一种 大模场 改进型 多层 沟槽 光纤 | ||
【主权项】:
一种具有大模场面积的改进型多层沟槽光纤,其特征为:该光纤中心为高折射率纤芯(1),由内到外分布M×N个被泄露通道分割的低折射率沟槽,(11,21,……,M1)、(12,22,……,M2)、……、(1N,2N,……,MN),最外面是外包层(3);其中1≤N≤6,1≤M≤4。
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