[发明专利]深刻蚀切割道倒装LED芯片及制备方法、LED显示装置

摘要

本发明提供一种深刻蚀切割道倒装LED芯片及制备方法、LED显示装置，属于LED芯片领域。包括清洗LED外延片，外延片衬底上依次包括n‑GaN层、量子阱层、p‑AlGaN层、p‑GaN层和p电极接触层；光刻外延片形成周期性分布的平台图形，得到LED芯片预设尺寸和形状、切割道及用于制备n电极的圆孔图案，刻蚀圆孔至n‑GaN层；在p电极接触层上蒸镀ITO电流扩展层；深刻蚀切割道至衬底表面；在ITO电流扩展层上表面、外延片侧壁及圆孔内壁蒸镀SiO2钝化层，清洗圆孔底部和p电极接触层的SiO2钝化层；在圆孔内蒸镀n电极层，在n电极层上蒸镀反射层，在ITO电流扩展层上蒸镀p电极层；研磨减薄衬底，沿着切割道采用激光划片，用裂片机沿着切割道裂片。本发明增加了倒装结构LED芯片的抗静电水平。

主权项

一种深刻蚀切割道倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1，清洗LED外延片；其中，LED外延片衬底以上依次包括n‑GaN层、InGaN/GaN量子阱层、p‑AlGaN电子阻挡层、p‑GaN层和p电极接触层；步骤S2，对LED外延片进行光刻，形成周期性分布的平台图形，得到LED芯片预设的尺寸和形状、切割道以及用于制备n电极的圆孔图案，然后通过ICP工艺刻蚀圆孔使其深度至n‑GaN层；步骤S3，在p电极接触层上表面蒸镀ITO电流扩展层；步骤S4，采用ICP工艺深刻蚀切割道至衬底表面；步骤S5，在ITO电流扩展层上表面、LED外延片侧壁及圆孔内壁蒸镀SiO2钝化层，然后光刻并通过化学腐蚀清洗干净圆孔底部和p电极接触层的SiO2钝化层；步骤S6，在圆孔内蒸镀n电极层，在n电极层上蒸镀反射层，在ITO电流扩展层上蒸镀p电极层；步骤S7，研磨减薄衬底，然后沿着切割道采用激光划片，最后采用裂片机沿着切割道裂片，完成倒装结构LED芯片的制作。