[发明专利]一种制备磁性铁锰硅基形状记忆合金的方法有效
| 申请号： | 201710858157.1 | 申请日： | 2017-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN107699667B | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 彭华备;王勇宁;文玉华 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | C21D6/00 | 分类号： | C21D6/00;C22C38/02;C22C38/04;C22C38/06;C22C38/08;C22C38/10;C22C38/12;C22C38/14;C22C38/44;C22C38/46;C22C38/48;C22C38/50;C22C38/52 |
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| 地址： | 610065 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备磁性铁锰硅基形状记忆合金的方法，属形状记忆合金领域。本发明制备的铁锰硅基形状记忆合金拥有磁性和形状记忆效应双功能。本发明所述铁锰硅基形状记忆合金含有Fe、Mn和Si元素，并包含Cr、Ni、Ti、Nb、Cu、Co、V、Mo、Al、C和N元素中的一种或多种，具体方法如下：先将上述铁锰硅基形状记忆合金在真空度≤1Pa的环境下用1000℃~1300℃处理≥30分钟，随后空冷或油冷或水冷至室温；上述方法制备的磁性铁锰硅基形状记忆合金的表面有一层铁素体，且铁素体层平均厚度≥3微米。铁锰硅基形状记忆合金在1250℃~1300℃处于高温铁素体单相区。 | ||
| 搜索关键词： | 铁锰硅基形状记忆合金 形状记忆合金 制备 磁性铁 铁素体 锰硅 形状记忆效应 单相区 双功能 空冷 水冷 油冷 | ||
【主权项】：
1.一种制备磁性铁锰硅基形状记忆合金的方法，所述铁锰硅基形状记忆合金含有Fe、Mn、Si和C元素，并包含Cr、Ni、Ti、Nb、Cu、Co、V、Mo、Al和N元素中的一种或多种，合金中各元素的重量百分比含量为：Mn 12~32%，Si 4~7%，Cr 0~14%，Ni 0~8%，Ti 0~1%，Nb 0~2%，Cu 0~1%，Co 0~2%，V 0~2%，Mo 0~2%，Al 0~3%，C 0.01~0.2%，N 0~0.2%，余为Fe和不可避免的杂质，其特征在于，将铁锰硅基形状记忆合金在真空度≤1Pa的环境下用1000℃~1100℃处理≥30分钟，随后空冷或油冷或水冷至室温；上述方法制备的磁性铁锰硅基形状记忆合金的表面有一层铁素体。
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