[发明专利]写入辅助单元在审

专利信息
申请号: 201710859141.2 申请日: 2017-09-21
公开(公告)号: CN108122575A 公开(公告)日: 2018-06-05
发明(设计)人: 陈炎辉;赛尔·普特·辛格 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G11C11/419 分类号: G11C11/419
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 路勇
地址: 中国台湾新竹市*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明实施例涉及一种写入辅助单元,其包括:第一上拉晶体管,其电耦合到电压阵列和第一节点;第一通过门晶体管,其电耦合到所述第一节点;和位线,其电耦合到所述第一通过门晶体管和下拉电压。所述第一通过门晶体管被配置成选择性地将所述位线耦合到所述第一节点。所述下拉电压被配置成在所述位线被耦合到所述第一节点时将所述电压阵列的电压从第一电压调整到第二电压。
搜索关键词: 门晶体管 电耦合 电压阵列 辅助单元 下拉电压 位线 写入 上拉晶体管 电压调整 位线耦合 耦合到 配置
【主权项】:
一种写入辅助单元,其包含:第一上拉晶体管,其电耦合到电压阵列和第一节点;第一通过门晶体管,其电耦合到所述第一节点;和位线,其电耦合到所述第一通过门晶体管和下拉电压,其中所述第一通过门晶体管被配置成选择性地将所述位线耦合到所述第一节点,且其中所述下拉电压被配置成在所述位线被耦合到所述第一节点时将所述电压阵列的电压从第一电压调整到第二电压。
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