[发明专利]一种硅片少子寿命的测试装置在审
| 申请号： | 201710859782.8 | 申请日： | 2017-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN109541422A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 汪燕;赵向阳 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种硅片少子寿命的测试装置，所述装置包括可容纳硅片的刻蚀槽，所述刻蚀槽的顶部具有开口，所述刻蚀槽的底部具有用于将所述硅片竖直固定于所述刻蚀槽中的槽位。本发明提供的硅片少子寿命的测试装置，不易发生药液泄露，避免对人员和机台造成伤害。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀槽 硅片少子寿命 测试装置 硅片 机台 竖直固定 槽位 泄露 开口 容纳 伤害 | ||
【主权项】：
1.一种硅片少子寿命的测试装置，其特征在于，所述装置包括可容纳硅片的刻蚀槽，所述刻蚀槽的顶部具有开口，所述刻蚀槽的底部具有用于将所述硅片竖直固定于所述刻蚀槽中的槽位。
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