[发明专利]一种低温制备Ag电极测试BZT陶瓷的方法在审

专利信息
申请号: 201710859975.3 申请日: 2017-09-21
公开(公告)号: CN107817283A 公开(公告)日: 2018-03-20
发明(设计)人: 李玲霞;郑浩然;于仕辉;陈思亮;孙正 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: G01N27/30 分类号: G01N27/30;C23C14/35;C23C14/18
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所12201 代理人: 张宏祥
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明公开了一种低温制备Ag电极测试BZT陶瓷的方法,先按BaZr0.2Ti0.8O3的化学计量比,称取原料BaCO3、ZrO2和TiO2,于1350℃烧制成BZT陶瓷;将BZT陶瓷制品放入磁控溅射制品台上,装上金属银靶材,将磁控溅射系统的本底真空度抽至P<1.0×10‑3Pa,使用Ar作为溅射气体,直流溅射电流为100~400mA,沉积时间为1500~7200s,在BZT陶瓷制品表面沉积得到厚度为1~4μm的Ag电极,再利用砂纸打磨Ag包覆层,即制得用于测试BZT陶瓷的Ag电极。本发明不需热处理,低温制备,且制备工艺简单,具有良好的应用前景。
搜索关键词: 一种 低温 制备 ag 电极 测试 bzt 陶瓷 方法
【主权项】:
一种低温制备Ag电极测试BZT陶瓷的方法,具体步骤如下:(1)采用固相烧结法制备BZT陶瓷按BaZr0.2Ti0.8O3的化学计量比,称取原料BaCO3、ZrO2和TiO2,充分混合后压制成型为坯体,坯体置于电炉中于1350℃烧制成BZT陶瓷;(2)将BZT陶瓷制品放入磁控溅射制品台上,装上金属银靶材;(3)将磁控溅射系统的本底真空度抽至P<1.0×10‑3Pa;(4)在步骤(3)系统中,使用Ar作为溅射气体,直流溅射电流为100~400mA,沉积时间为1500~7200s,在BZT陶瓷制品表面沉积得到厚度为1~4μm的Ag电极;(5)取出样品;(6)利用砂纸打磨BZT陶瓷制品侧面Ag包覆层,打磨后即制得用于测试BZT陶瓷的Ag电极。
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