[发明专利]一种降低镁电解用熔体氯化镁中杂质含量的方法有效

专利信息
申请号: 201710860214.X 申请日: 2017-09-21
公开(公告)号: CN107587163B 公开(公告)日: 2019-05-24
发明(设计)人: 苗庆东;朱福兴;马尚润;李开华 申请(专利权)人: 攀钢集团研究院有限公司
主分类号: C25C3/02 分类号: C25C3/02;C22B34/12
代理公司: 成都虹桥专利事务所(普通合伙) 51124 代理人: 梁鑫
地址: 610000 四川省成都市高*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明属于有色金属冶炼领域,具体涉及一种降低镁电解用熔体氯化镁中杂质含量的方法。本发明要解决的技术问题是提供一种降低镁电解用熔体氯化镁中杂质含量的方法,该方法包括以下步骤:(1)将熔体氯化镁放入净化炉中加热至750±10℃,搅拌,静置沉降至上部澄清熔体MgO质量百分比含量≦0.10%;(2)从净化炉上部将澄清熔体抽出并连续加入净化电解槽中,电解槽采用KCl‑NaCl‑CaCl2熔盐体系,熔体温度为690~730℃,石墨阳极和钢阴极,电解电压为2.8~5.5V,电极极距为30~60mm,电流密度为0.2~0.8A/cm2。该方法可以有效降低熔体氯化镁中的MgO、Fe、Ti等杂质含量,提高熔体中MgCl2纯度,对于提高镁电解过程运行状态和电流效率有重要影响。
搜索关键词: 一种 降低 电解 用熔体 氯化镁 杂质 含量 方法
【主权项】:
1.降低镁电解用熔体氯化镁中杂质含量的方法,其特征在于:包括以下步骤:A、将镁电解用熔体氯化镁加热至750±10℃,搅拌,静置沉降至上部澄清熔体MgO质量百分比含量≦0.10%;B、将澄清熔体抽出并连续加入净化电解槽中,电解槽采用KCl‑NaCl‑CaCl2熔盐体系,熔体温度为690~730℃,石墨阳极和钢阴极,电解电压为2.8~5.5V,电极极距为30~60mm,电流密度为0.2~0.8A/cm2
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