[发明专利]一种压电谐振器的制备方法和压电谐振器在审
| 申请号： | 201710864033.4 | 申请日： | 2017-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN107508571A | 公开（公告）日： | 2017-12-22 |
| 发明（设计）人： | 何军;其他发明人请求不公开姓名 | 申请（专利权）人： | 安徽安努奇科技有限公司 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;H03H9/02;H03H9/17 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 230088 安徽省合肥市高新区创新*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种压电谐振器的制备方法和压电谐振器，其制备方法包括在第一衬底上形成单晶压电材料层；在所述单晶压电材料层远离所述第一衬底一侧的表面形成多晶压电材料层。本发明实施例通过提供一种压电谐振器的制备方法和压电谐振器，解决了生长较厚的单晶压电材料形成压电薄膜时，生长缓慢、生产成本高、工艺难度大，很难实现低频段压电谐振器的问题；同时还解决了生长多晶压电材料形成压电薄膜时，材料结晶质量较差，压电谐振器性能降低的问题。本发明实施例既易于实现低频段压电谐振器，又可以提高压电谐振器的性能，且多晶压电材料的结晶度较高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压电 谐振器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种压电谐振器的制备方法，其特征在于：包括：在第一衬底上形成单晶压电材料层；在所述单晶压电材料层远离所述第一衬底一侧的表面形成多晶压电材料层。
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