[发明专利]光传感装置有效
申请号: | 201710864165.7 | 申请日: | 2017-09-22 |
公开(公告)号: | CN109148492B | 公开(公告)日: | 2022-11-25 |
发明(设计)人: | 郑允玮;朱益兴;黄胤杰;周俊豪;李国政;黄薰莹;陈信吉 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 冯志云;王芝艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供一种光传感装置的结构及制造方法。此光传感装置包含半导体基底和在半导体基底中的光感测区域。光传感装置也包含在半导体基底上方且与光感测区域对齐的滤光元件。滤光元件具有第一部分及第二部分,且第一部分位于第二部分与光感测区域之间。光传感装置还包含在半导体基底上方且在滤光元件的第一部分旁边的遮光元件。此外,光传感装置包含在遮光元件上且在滤光元件的第二部分旁边的介电元件。遮光元件的顶部宽度大于介电元件的底部宽度。 | ||
搜索关键词: | 传感 装置 | ||
【主权项】:
1.一种光传感装置,包括:一半导体基底;一光感测区域,位于该半导体基底中;一滤光元件,位于该半导体基底上且与该光感测区域对齐,其中该滤光元件具有一第一部分及一第二部分,且该第一部分位于该第二部分与该光感测区域之间;一遮光元件,位于该半导体基底上且在该滤光元件的该第一部分旁边;以及一介电元件,位于该半导体基底上且在该滤光元件的该第二部分旁边,其中该遮光元件的一顶部宽度大于该介电元件的一底部宽度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的