[发明专利]一种氮化镓器件平坦化制程工艺

摘要

本发明公开了一种氮化镓器件平坦化制程工艺，属于氮化镓器件领域。一种氮化镓器件平坦化制程工艺，其工艺步骤如下S1、在主动和欧姆接触区上依次沉积第一介电层、第二介电层和第三介电层，所述第一介电层和第二介电层分别采用不同的绝缘材料。它可以实现在氮化镓器件的主动和欧姆接触D区沉积不同材料的第一介电层和第二介电层,从而调配处不同选择比的研磨液，控制制程上的选择比，针对不同绝缘材料介电层有不一样的研磨速率，便能有效实现氮化镓器件的平坦化，积体电路设计上可以容许更多层的金属连线,而不会有断线或倒线的问题，平整的表面结构容许更多最佳化的制程设计,有利于多元产品发展，也利于导入量产。

主权项

一种氮化镓器件平坦化制程工艺，其特征在于，其工艺步骤如下：S1、在主动和欧姆接触区（D）上依次沉积第一介电层（C）、第二介电层（B）和第三介电层（A），所述第一介电层（C）和第二介电层（B）分别采用不同的绝缘材料，所述第一介电层（C）和第三介电层（A）采用相同的绝缘材料；S2、根据第一介电层（C）、第二介电层（B）采用的不同材料，调制出具有选择比配方的研磨液；S3、采用化学机械研磨进行研磨，研磨时并及时向研磨面添加S2制作研磨液，研磨时首先对第一介电层（C）进行研磨，待第一介电层（C）和第二介电层（B）同时并存露于表面时停止研磨；S4、根据第一介电层（C）、第二介电层（B）采用的不同材料，调制出没有选择比配方的蚀刻液；S5、对S3研磨过后的第一介电层（C）和第二介电层（B）同时进行蚀刻，第一介电层（C）和第二介电层（B）等速率的被蚀刻，待第二介电层（B）被蚀刻完后，只留下平整的第三介电层（A），停止蚀刻，即可完成平坦化制程。