[发明专利]一种热敏电阻铜电极阻挡层及其制备方法

摘要

本发明公开了一种热敏电阻铜电极阻挡层及其制备方法，所述阻挡层为Sn‑Zn纳米合金薄膜，其中Sn与Zn的比例为2:1，薄膜厚度为15～35nm。该阻挡层具有良好的稳定性能，其出色的耐寒耐热性能和耐湿性，使制备出的热敏电阻铜电极在高强度的工作状态下也能很好的保证电极的正常运行。阻挡层是合金薄膜，具有优异的导电性能，且与基片结合良好，有效防止导电层与基片之间的扩散。制备工艺简单，制备成本低廉。采用纳米电沉积技术，细化了阻挡层晶粒，提高了电极层与本体基片之间的可靠性，改善了热敏电阻的性能。

主权项

1.一种热敏电阻铜电极阻挡层的制备方法，包括以下步骤：步骤1)将陶瓷基片进行刻蚀、清洗、干燥处理；步骤2)将SnO₂纳米粉、ZnO纳米粉溶于硫酸溶液中进行反应，将反应后的混合溶液分成两份，一份留下备用，另一份混合溶液用无水乙醇洗涤后干燥，制备成SnSO₄‑ZnSO₄复合纳米粉料；步骤3)将步骤2)所述复合纳米粉料配制成印刷浆料；步骤4)在步骤1)所述陶瓷基片表面丝网印刷步骤3)所述印刷浆料，然后在室温下静置并烘干，制成SnSO₄‑ZnSO₄复合纳米薄膜；步骤5)将步骤4)所述涂覆了复合纳米薄膜的陶瓷基片作为阴极，采用的电源为二电极体系，阳极为铂片，在阴极和阳极之间施加直流电压，在步骤2)所述备用的混合溶液中进行电沉积；步骤6)将步骤5)所述电沉积后的陶瓷基片用去离子水反复清洗，去除残留溶液，再将陶瓷基片置于热处理炉中，通入氢气进行热处理还原，最后快速冷却至室温，制得Sn‑Zn纳米合金薄膜，其中Sn与Zn的比例为2:1，薄膜厚度为15～35nm。