[发明专利]三维高密度扇出型封装结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201710872171.7 申请日: 2017-09-25
公开(公告)号: CN107622996B 公开(公告)日: 2020-10-02
发明(设计)人: 陈峰;张文奇 申请(专利权)人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
主分类号: H01L25/065 分类号: H01L25/065;H01L25/18;H01L23/488;H01L21/98
代理公司: 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 代理人: 张东梅
地址: 214028 江苏省无锡市新区*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明的实施例公开了一种三维扇出型封装结构,包括:第一芯片;一个或多个第二金属柱,所述一个或多个第二金属柱设置在所述第一芯片的周边;一个或多个芯片构成的第二芯片,所述第二芯片层叠在所述第一芯片的背面,其表面焊盘通过金属线电连接到第二金属柱;第二绝缘树脂,所述第二绝缘树脂包封所述第一芯片、第二芯片和第二金属柱,并且第一金属柱的表面、第一绝缘树脂的表面、第二金属柱的底部表面以及第二绝缘树脂的底部表面齐平;以及重布线结构。本发明公开的封装结构具有尺寸小、成本低的优点。
搜索关键词: 三维 高密度 扇出型 封装 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
一种三维扇出型封装结构,包括:第一芯片,所述第一芯片具有正面和与正面相对的背面,所述第一芯片的正面具有芯片焊盘,所述芯片焊盘的表面设置有第一金属柱,所述第一芯片的正面被第一绝缘树脂覆盖,所述第一金属柱的表面与第一绝缘树脂表面齐平;一个或多个第二金属柱,所述一个或多个第二金属柱设置在所述第一芯片的周边;一个或多个芯片构成的第二芯片,所述第二芯片具有正面和与正面相对的背面,所述第二芯片的正面具有表面焊盘,所述第二芯片层叠在所述第一芯片的背面,表面焊盘通过金属线电连接到第二金属柱;第二绝缘树脂,所述第二绝缘树脂包封所述第一芯片、第二芯片和第二金属柱,并且第一金属柱的表面、第一绝缘树脂的表面、第二金属柱的底部表面以及第二绝缘树脂的底部表面齐平;以及重布线结构,所述重布线结构形成在第一金属柱的表面、第一绝缘树脂的表面、第二金属柱的底部表面以及第二绝缘树脂的底部表面上,重布线结构具有导电线路、设置在导电线路上的外接焊盘以及绝缘材料,所述绝缘材料设置在第一绝缘树脂的表面和第二绝缘树脂的底部表面以及金属柱表面同导电线路之间并且设置在导电线路和外接焊盘之间,其中所述导电线路将所述第一金属柱和第二金属柱连接到对应的外接焊盘。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华进半导体封装先导技术研发中心有限公司,未经华进半导体封装先导技术研发中心有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710872171.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top