[发明专利]在存储设备中读取数据的方法及非易失性存储设备有效
| 申请号： | 201710872278.1 | 申请日： | 2017-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN107871522B | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 韩煜基;李知尚 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C16/24;G11C16/26;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张泓;邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在非易失性存储设备中读取数据的方法中，所述非易失性存储设备包括被布置在多个字线和多个位线的交叉点处的多个存储单元，接收对所述多个字线中的第一字线的读取请求；对与所述第一字线相邻的第二字线执行读取操作；以及基于从所述第二字线的存储单元读取的数据对所述第一字线执行读取操作。通过基于从所述第二字线的存储单元读取的数据的编程状态和所述非易失性存储设备的操作参数中的至少一个来调整被在所述第一字线的读取操作期间施加到所述第一字线的恢复读取电压的电平，而执行对所述第一字线的读取操作。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 设备 读取 数据 方法 非易失性 | ||
【主权项】：
一种在非易失性存储设备中读取数据的方法，所述非易失性存储设备包括被布置在多个字线和多个位线的交叉点处的多个存储单元，所述方法包括：接收对所述多个字线中的第一字线的读取请求；对与所述第一字线相邻的第二字线执行读取操作；以及基于从所述第二字线的存储单元读取的数据对所述第一字线执行读取操作，其中，对所述第一字线执行读取操作包括：基于从所述第二字线的存储单元读取的数据的编程状态和非易失性存储设备的操作参数中的至少一个来调整在所述第一字线的读取操作期间被施加到所述第一字线的恢复读取电压的电平。
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