[发明专利]一种晶体管、钳位电路及集成电路有效
| 申请号： | 201710875844.4 | 申请日： | 2017-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN108039365B | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 蔡小五;罗家俊;刘海南;曾传滨;卜建辉;陆江;赵海涛 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H03K19/003 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种晶体管、钳位电路及集成电路，晶体管包括：衬底、位于衬底上的氧化物层、位于氧化物层上的硅层；硅层上设置有源区和漏区，源区和漏区之间为沟道区，其中，源区和漏区均为第一掺杂类型的重掺杂；沟道区上设置有多晶硅，多晶硅为金属‑氧化物半导体场效应晶体管的栅极，其中，栅极的第一端部区域为第一掺杂类型的重掺杂，其余区域均为第二掺杂类型的重掺杂，第一掺杂类型与第二掺杂类型不相同，第一端部区域为栅极靠近漏区的区域。本发明提供的器件和电路，用以解决现有技术中用于静电保护的MOSFET存在静电保护能力和漏电控制不能兼顾的技术问题。在保证ESD保护能力的基础上实现减小漏电的技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体管 电路 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，包括：衬底、位于所述衬底上的氧化物层、位于所述氧化物层上的硅层；所述硅层上设置有源区和漏区，所述源区和所述漏区之间为沟道区，其中，所述源区和所述漏区均为第一掺杂类型的重掺杂；所述沟道区上设置有多晶硅，所述多晶硅为所述金属-氧化物半导体场效应晶体管的栅极，其中，所述栅极的第一端部区域为第一掺杂类型的重掺杂，所述栅极的除所述第一端部区域外的区域均为第二掺杂类型的重掺杂，所述第一掺杂类型与所述第二掺杂类型不相同，所述第一端部区域为所述栅极靠近所述漏区的区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710875844.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：大叶茶烘干装置
- 下一篇：供料器及供料器控制方法以及电子元件安装装置
- 同类专利
- 专利分类
