[发明专利]半导体结构及其形成方法有效

专利信息
申请号: 201710877564.7 申请日: 2017-09-25
公开(公告)号: CN109560045B 公开(公告)日: 2021-04-02
发明(设计)人: 周飞 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司
主分类号: H01L21/8234 分类号: H01L21/8234;H01L27/088;H01L21/336
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 吴敏
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供衬底,衬底上具有鳍部材料层;在鳍部材料层上形成分立的牺牲鳍部图形、中心鳍部图形以及边缘鳍部图形;对中心鳍部图形进行减薄处理;刻蚀鳍部材料层,形成位于第二区域上的牺牲鳍部、位于第一区域上的边缘鳍部和中心鳍部;去除牺牲鳍部;去除牺牲鳍部之后,在边缘鳍部和中心鳍部露出的衬底上形成隔离层。通过对中心鳍部图形进行减薄处理,使刻蚀鳍部图形层之后,形成宽度大于中心鳍部的边缘鳍部,从而能够有效改善边缘鳍部受到隔离层形成过程影响而引起的的厚度变小问题,有利于提高边缘鳍部的厚度与中心鳍部的厚度均匀性,有利于改善所形成半导体结构的性能。
搜索关键词: 半导体 结构 及其 形成 方法
【主权项】:
1.一种半导体结构的形成方法,其特征在于,包括:提供衬底,所述衬底包括第一区域和与所述第一区域相邻的第二区域,所述衬底上具有鳍部材料层;在所述鳍部材料层上形成分立的牺牲鳍部图形、中心鳍部图形以及边缘鳍部图形,所述牺牲鳍部图形位于所述第二区域的衬底上,所述中心鳍部图形和所述边缘鳍部图形位于所述第一区域的衬底上,且所述边缘鳍部图形位于所述中心鳍部图形和所述牺牲鳍部图形之间;对所述中心鳍部图形进行减薄处理;以所述牺牲鳍部图形、所述边缘鳍部图形和经减薄处理的中心鳍部图形为掩膜,刻蚀所述鳍部材料层,形成位于所述第二区域上的牺牲鳍部、位于所述第一区域上的边缘鳍部和中心鳍部;去除所述牺牲鳍部;去除所述牺牲鳍部之后,在所述边缘鳍部和所述中心鳍部露出的衬底上形成隔离层。
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