[发明专利]一种用于半导体晶圆减薄工艺的除蜡方法在审
| 申请号： | 201710879301.X | 申请日： | 2017-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN107742602A | 公开（公告）日： | 2018-02-27 |
| 发明（设计）人： | 周诗健;窦璨 | 申请（专利权）人： | 合肥新汇成微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于半导体晶圆减薄工艺的除蜡方法，包括以下步骤(1)提供一固定盘，于所述固定盘的预设位置形成工业蜡，并将至少一个半导体晶圆通过所述工业蜡粘合于所述固定盘；(2)将去离子水放入清洗槽中，加热到50‑60℃，再将上述固定有半导体晶圆的固定盘置于配合超声波作用，进行5‑10min超声处理，再烘干3‑5min；(3)对上述烘干的半导体晶圆的固定盘进行加压冷却处理，使多余的工业蜡从所述半导体晶圆周边挤出，并被所述定性滤纸吸收，最后去除所述定性滤纸以完成除蜡。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 半导体 晶圆减薄 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种用于半导体晶圆减薄工艺的除蜡方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)提供一固定盘，于所述固定盘的预设位置形成工业蜡，并将至少一个半导体晶圆通过所述工业蜡粘合于所述固定盘；(2)将去离子水放入清洗槽中，加热到50‑60℃，再将上述固定有半导体晶圆的固定盘置于配合超声波作用，进行5‑10min超声处理，再烘干3‑5min；(3)对上述烘干的半导体晶圆的固定盘进行加压冷却处理，使多余的工业蜡从所述半导体晶圆周边挤出，并被所述定性滤纸吸收，最后去除所述定性滤纸以完成除蜡。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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