[发明专利]IGBT型晶体管的控制方法及相关控制装置有效
| 申请号： | 201710879626.8 | 申请日： | 2017-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN107872211B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 弗洛朗·安德里亚努埃利松;埃里克·拉巴瑟;史蒂芬·布瓦托 | 申请（专利权）人： | 阿尔斯通运输科技公司 |
| 主分类号： | H03K17/30 | 分类号： | H03K17/30;H03K17/567 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 王琳;姚开丽 |
| 地址： | 法国圣*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种IGBT型晶体管(14)的控制方法及相关控制装置，所述方法包括晶体管(14)在导通状态和关断状态之间的转换阶段。所述阶段包括产生额定电流，所述额定电流在晶体管(14)的栅极(G)上的强度具有不同额定值。至少这些额定值中的某些是根据所述主电流的瞬时导数的符号被选择。每个所述额定值在预定额定值的集合中被选择。 | ||
| 搜索关键词： | igbt 晶体管 控制 方法 相关 装置 | ||
【主权项】：
一种IGBT型晶体管(14)的控制方法(100)，所述晶体管(14)包括一个栅极(G)，一个集电极(G)和一个发射极(E)，并且定义了导通状态和关断状态，在所述导通状态中所述集电极(C)和所述发射极(E)之间流有主电流(IC)，在所述关断状态中所述集电极(C)与所述发射极(E)电隔离；所述控制方法(100)包括在所述导通状态和所述关断状态之间的转换阶段，所述转换阶段包括产生额定电流，所述额定电流在所述晶体管(14)的所述栅极上的强度具有不同额定值(IC1，......，IC6)，至少所述额定值(IC1，......，IC6)中的某些是根据所述主电流(IC)的瞬时导数(dIC/dt)的符号被选择，每个所述额定值(IC1，......，IC6)在预定额定值(IC1，......，IC6)的集合中被选择。
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