[发明专利]一种用于栅控器件栅驱动的电平位移电路

摘要

一种用于栅控器件栅驱动的电平位移电路，属于电力电子技术领域。双脉冲发生器将脉宽调制信号PWM_H的上升沿和下降沿取出并产生对应的窄脉冲信号，两路窄脉冲信号分别通过脉冲整形器后控制开关管回路中的两个场效应管，由于两路窄脉冲信号的脉宽不足以让两个场效应管完全开通，所以产生的波形为锯齿波；两个场效应管的漏极分别接迟滞可调的施密特触发器，将窄脉冲信号还原为相对于浮地端VS的脉宽调制信号PWM_HS的上升沿和下降沿脉冲信号，随后经过RS锁存器后将信号还原为电平位移后的脉宽调整信号PWM_HS。本发明提出的电平位移电路为栅控器件的栅驱动提供了新型的电平位移方式和方法，有效地满足了高速，高压以及低功耗和可集成等需求。

主权项

1.一种用于栅控器件栅驱动的电平位移电路，其特征在于，包括双脉冲发生器(SUB1)，其输入端作为所述电平位移电路的输入端；第一电容配置端口，连接所述双脉冲发生器的第一脉宽调节端；第二电容配置端口，连接所述双脉冲发生器的第二脉宽调节端；第一脉冲整形器(SUB2)，其输入端连接所述双脉冲发生器(SUB1)的第一输出端；第二脉冲整形器(SUB3)，其输入端连接所述双脉冲发生器(SUB1)的第二输出端；开关管回路，包括第一场效应管(MOS1)和第二场效应管(MOS2)，第一场效应管(MOS1)的栅极连接第一脉冲整形器(SUB2)的输出端，第二场效应管(MOS2)的栅极连接第二脉冲整形器(SUB3)的输出端；第一源极下拉电阻配置端口(MOS1_SRES)，连接所述第一场效应管(MOS1)的源极；第二源极下拉电阻配置端口(MOS2_SRES)，连接所述第二场效应管(MOS2)的源极；第一施密特触发器(SUB4)，其输入端连接所述第一场效应管(MOS1)的漏极；第二施密特触发器(SUB5)，其输入端连接所述第二场效应管(MOS2)的漏极；RS锁存器，其R输入端连接所述第二施密特触发器(SUB5)的输出端，其S输入端连接所述第一施密特触发器(SUB4)的输出端，其输出端作为所述电平位移电路的输出端；第一漏极上拉电阻配置端口(MOS1_DRES)，连接所述第一场效应管(MOS1)的漏极；第二漏极上拉电阻配置端口(MOS2_DRES)，连接所述第二场效应管(MOS2)的漏极；所述双脉冲发生器(SUB1)的第一输出端和第二输出端分别输出第一窄脉冲信号和第二窄脉冲信号，所述第一窄脉冲信号和第二窄脉冲信号的宽度小于所述第一场效应管(MOS1)和第二场效应管(MOS2)的固有开通和关断时间。