[发明专利]基于VHDL-AMS退化模型的板级电路寿命预测方法有效

专利信息
申请号: 201710880279.0 申请日: 2017-09-26
公开(公告)号: CN107679307B 公开(公告)日: 2020-01-21
发明(设计)人: 刘震;王清;程玉华;黄建国 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: G06F30/3308 分类号: G06F30/3308;G06F119/04
代理公司: 51220 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 代理人: 温利平
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种基于VHDL‑AMS退化模型的板级电路寿命预测方法,先分析元器件的失效模式和失效机理,建立元器件的数学退化模型,再利用matlab工具对数学退化模型进行拟合,得到最优的退化轨迹从而建立元器件的VHDL‑AMS模型,最后通过对VHDL‑AMS模型进行仿真,实现了元器件退化的板级电路性能检测及寿命预测。
搜索关键词: 元器件 退化模型 板级电路 寿命预测 数学 失效机理 失效模式 退化轨迹 性能检测 再利用 拟合 退化 分析
【主权项】:
1.一种基于VHDL-AMS退化模型的板级电路寿命预测方法,其特征在于,包括以下步骤:/n(1)、对电路中的元器件进行分类处理;/n采用自顶向下的方法,将电路中的电路模块或元器件按照功能和结构相同标记为一类,其中,电路模块标记为:{m
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