[发明专利]钕铁硼磁体的高剩磁制备工艺在审

专利信息
申请号: 201710880572.7 申请日: 2017-09-26
公开(公告)号: CN107610861A 公开(公告)日: 2018-01-19
发明(设计)人: 刘润海;刘月玲 申请(专利权)人: 北京京磁电工科技有限公司
主分类号: H01F1/057 分类号: H01F1/057;H01F1/08;H01F41/02;B22F1/00
代理公司: 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙)11369 代理人: 史霞
地址: 101204 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种钕铁硼磁体的高剩磁制备工艺,包括在混粗粉过程中,添加液体粉末改善剂,所述液体粉末改善剂为由正己烷和葵酸甲酯混合而成,其中,正己烷和葵酸甲酯的质量比为50~201。本发明所述的钕铁硼磁体的高剩磁制备工艺采用液体粉末改善剂,该液体粉末改善剂由正己烷和葵酸甲酯混合而成,其中,正己烷和葵酸甲酯的质量比为50~201,该液体粉末改善剂对粉末的包覆能力更好,对粉末的流动性作用更强,且低温加热即可完全脱出,从而改善粉末流动性,改善磁体夹杂,产品耐腐蚀性由7‑8级升到9‑10级,剩磁提高150‑350Gs,节约成本0.005‑0.02元/kg,节约时间5‑10S/kg。
搜索关键词: 钕铁硼 磁体 剩磁 制备 工艺
【主权项】:
一种钕铁硼磁体的高剩磁制备工艺,其特征在于,包括:在混粗粉过程中,添加液体粉末改善剂,所述液体粉末改善剂为由正己烷和葵酸甲酯混合而成,其中,正己烷和葵酸甲酯的质量比为50~20:1。
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