[发明专利]双面显示器及其制造方法有效
| 申请号： | 201710882016.3 | 申请日： | 2017-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN107680989B | 公开（公告）日： | 2020-03-06 |
| 发明（设计）人： | 罗国隆;杨文玮 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L27/15;G09F9/33 |
| 代理公司： | 北京市立康律师事务所 11805 | 代理人： | 梁挥;孟超 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种双面显示器，其包括基板、第一主动元件、第一微型发光元件、图案化光阻层、反射电极、第二微型发光元件、保护层以及第一导电电极。第一微型发光元件位于基板上且电性连接第一主动元件。图案化光刻胶层设置于基板上且覆盖部份第一微型发光元件。反射电极覆盖图案化光刻胶层与部分的基板上。第二微型发光元件设置于反射电极上。保护层覆盖反射电极与部份第二微型发光元件。第一导电电极覆盖保护层且电性连接第二微型发光元件。 | ||
| 搜索关键词： | 双面 显示器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
