[发明专利]一种1x1型单片集成式半导体主振荡放大器在审
申请号: | 201710882607.0 | 申请日: | 2017-09-26 |
公开(公告)号: | CN109560465A | 公开(公告)日: | 2019-04-02 |
发明(设计)人: | 李召松;徐洋;王鹏飞;张冶金;于红艳;潘教青;王庆飞;田林岩 | 申请(专利权)人: | 北京万集科技股份有限公司 |
主分类号: | H01S5/50 | 分类号: | H01S5/50 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王莹;李相雨 |
地址: | 100085 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开一种1x1型单片集成式半导体主振荡放大器。其中,所述主振荡放大器包括:基于半导体激光器的主振荡器,用于产生基横模和单纵模的种子激光;基于1x1多模干涉耦合器的半导体功率放大器,用于对所述种子激光进行功率放大。本发明提供的1x1型单片集成式半导体主振荡放大器,主振荡器和半导体功率放大器集成在半导体衬底上,主振荡器产生的种子激光通过半导体功率放大器进行功率放大,有源区面积增加,增加了功率放大器的饱和输出功率,降低热效应对器件的影响,并能够提高主振荡放大器与光纤的耦合效率。 | ||
搜索关键词: | 放大器 主振荡 半导体功率放大器 半导体 单片集成 种子激光 主振荡器 功率放大 热效应 多模干涉耦合器 半导体激光器 饱和输出功率 功率放大器 面积增加 耦合效率 单纵模 基横模 衬底 源区 光纤 | ||
【主权项】:
1.一种1x1型单片集成式半导体主振荡放大器,其特征在于,包括:基于半导体激光器的主振荡器,用于产生基横模和单纵模的种子激光;基于1x1多模干涉耦合器的半导体功率放大器,用于对所述种子激光进行功率放大。
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