[发明专利]膜层刻蚀区域等效力学参数的计算方法和设备有效
申请号: | 201710883448.6 | 申请日: | 2017-09-26 |
公开(公告)号: | CN109558610B | 公开(公告)日: | 2021-01-29 |
发明(设计)人: | 黄俊杰;王琦;张健;吕守华;杨成发;周猛 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | G06F30/23 | 分类号: | G06F30/23;G06F119/14;G06F111/04 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种膜层刻蚀区域等效力学参数的计算方法和设备,属于刻蚀区域设计技术领域,其可至少部分解决现有的获取刻蚀区域等效力学参数的方法难度大或只能用于规则区域的问题。本发明的膜层刻蚀区域等效力学参数的计算方法包括:选取膜层刻蚀区域的至少一部分为分析区域;建立与分析区域对应的平面模型;以第一密度对平面模型进行网格划分;根据膜层材料的实际力学参数和第一密度的网格划分,通过有限元法分析平面模型在模拟边界条件下的第一模拟应力;计算等效力学参数,其中,在模拟边界条件下,等效力学参数能使与平面模型边界尺寸相同的各向异性的平面盲板达到第一模拟应力。 | ||
搜索关键词: | 刻蚀 区域 等效 力学 参数 计算方法 设备 | ||
【主权项】:
1.一种膜层刻蚀区域等效力学参数的计算方法,其特征在于,包括:S01、选取膜层刻蚀区域的至少一部分为分析区域;S02、建立与所述分析区域对应的平面模型;S03、以第一密度对所述平面模型进行网格划分;S04、根据膜层材料的实际力学参数和第一密度的网格划分,通过有限元法分析平面模型在模拟边界条件下的第一模拟应力;S05、计算等效力学参数,其中,在模拟边界条件下,等效力学参数能使与平面模型边界尺寸相同的各向异性的平面盲板达到第一模拟应力。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司,未经京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710883448.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。