[发明专利]一种用于提高晶体键合质量的晶体表面加工质量表征方法在审

专利信息
申请号: 201710883648.1 申请日: 2017-09-26
公开(公告)号: CN107655408A 公开(公告)日: 2018-02-02
发明(设计)人: 李强;惠勇凌;姜梦华;雷訇 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: G01B11/00 分类号: G01B11/00;H01L21/18
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司11203 代理人: 张立改
地址: 100124 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种用于提高晶体键合质量的晶体表面加工质量表征方法,属于激光晶体和固体激光技术领域。本发明提出的表征方法由三个参量表面平整度、粗糙度、微凸起间距共同约束晶体表面加工质量,作为对提高晶体键合质量至关重要的参数,克服现有表征方法缺少对晶体表面横向微观形貌约束的不足,避免键合晶体接触面出现残留空隙,提高晶体键合质量和成品率,克服目前晶体键合面较小的不足。
搜索关键词: 一种 用于 提高 晶体 质量 表面 加工 表征 方法
【主权项】:
一种用于提高晶体键合质量的晶体表面加工质量表征方法,其特征在于,采用表面平整度、粗糙度、微凸起间距三个参量共同作为表征晶体表面加工质量的参量;即在晶体制备过程中,除了目前常规的表面平整度、粗糙度之外,还将晶体表面微凸起间距作为表征晶体表面加工质量的一个新的参量,三个参量共同约束晶体表面宏观几何波度和微观纵向、横向的形貌。
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