[发明专利]一种液态石墨烯应用于GaN基材料及器件的方法

摘要

本发明涉及一种液态石墨烯应用于GaN基材料及器件的方法，属于半导体技术领域。本发明的液态石墨烯应用于GaN基材料及器件的方法通过液态石墨烯滴定或者旋涂的方式实现将石墨烯应用于GaN基光电子和微电子器件，石墨烯既可以作为GaN基器件的接触电极，又可以作为光吸收层或电流传导层。本方法操作简单，重复性强，避免传统石墨烯转移的损伤问题；并且可以通过光刻的方式，实现转移后的石墨烯尺寸可控，实现石墨烯与GaN基材料相结合，优化及拓展GaN基光电子和微电子器件的性能。本发明提供的利用液态石墨烯转移石墨烯的方法，为石墨烯应用于GaN基材料及器件，实现石墨烯与GaN基材料相结合提供了新思路。该方法还具有工艺简单，效果显著，应用前景广阔的优点。

主权项

一种液态石墨烯应用于GaN基材料及器件的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、生长GaN基材料；步骤2、配置石墨烯溶液；步骤3、在GaN基材料表面界定石墨烯窗口；步骤4、通过旋涂或者滴定的方式，将步骤2配置的石墨烯溶液滴加到GaN基材料表面界定石墨烯窗口中；步骤5、挥发溶剂，实现基于石墨烯的GaN基器件。