[发明专利]一种全溶液制备掺硫硒化锑纳米棒薄膜的方法

摘要

本发明为一种全溶液制备掺硫硒化锑纳米棒薄膜的方法。该包括以下步骤：将锑粉、硒粉和硫粉的混合粉末溶于上步得到乙二硫醇和乙二胺的混合溶剂中，搅拌至溶解；将得到前驱体溶液旋涂到玻璃基底上，烘干后，重复旋涂‑烘干步骤，直至玻璃基板上的前驱体薄膜的厚度900nm～1100nm；将所得前驱体薄膜进行300℃～350℃退火10min～30min，最后得到掺硫硒化锑纳米棒薄膜。本发明制备工艺简单，成本低，操作方便；得到致密、均匀、无杂质的Sb₂(Se_1‑xS_x)₃纳米棒薄膜。

主权项

1.一种全溶液制备掺硫硒化锑纳米棒薄膜的方法，其特征为该方法包括以下步骤：第一步：将玻璃基底依次在异丙醇、丙酮和乙醇中超声清洗，烘干后再用等离子清洗器清洗表面；第二步：将乙二硫醇和乙二胺混合得到混合溶剂；其中，体积比为乙二硫醇：乙二胺=1：4~12；第三步：配置前驱体溶液：将锑粉、硒粉和硫粉的混合粉末溶于上步得到的混合溶剂中，60度~90度油浴下搅拌至溶解；其中，每2ml混合溶剂加入1.6 mmol Sb粉；摩尔比Sb：Se：S=2:3（1‑X）：3X，X=0.1‑0.7；第四步：将上步得到前驱体溶液旋涂到玻璃基底上，在140~160度下烘干后再次旋涂前驱液，重复旋涂‑烘干步骤，直至玻璃基板上的前驱体薄膜的厚度900nm～1100nm；第五步：将所得前驱体薄膜进行300℃～350℃退火10min～30min，最后得到掺硫硒化锑纳米棒薄膜。