[发明专利]一种背接触太阳能电池的制备方法

摘要

本发明涉及一种背接触太阳能电池的制备方法。本发明的背接触太阳能电池的制备方法，包括制绒、制备正表面薄掩膜、双面磷扩散、背表面激光开槽、抛光、硼扩散、清洗并制备钝化减反膜、印刷金属电极及烧结。其有益效果是仅需在高温磷扩散前制备正表面薄掩膜即可一步形成正表面n+轻掺杂区域及背表面n+重掺杂区域；且高温磷扩散的同时形成了能够阻挡硼扩散的正表面磷硅玻璃层及背表面磷硅玻璃层，无需再额外设置介质膜掩膜即可保证硼扩散过程中正表面n+轻掺杂区域和背表面n+重掺杂区域不会受到硼扩散的影响。极大地简化了工艺流程，减少了高温工序数目，节约了生产成本。

主权项

一种背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)、选择N型晶体硅基体，并对N型晶体硅基体的表面作制绒处理；(2)、在步骤(1)处理后的N型晶体硅基体的正表面制备薄掩膜；(3)、将步骤(2)处理后的N型晶体硅基体放入工业用扩散炉中对基体的正表面和背表面进行磷扩散处理，扩散温度为750‑900℃，时间为60‑180分钟，扩散过程中引入磷硅玻璃生长促进剂，扩散完成后，在正表面形成n+轻掺杂区域和磷硅玻璃层，在背表面形成n+重掺杂区域和磷硅玻璃层；(4)、使用激光器在步骤(3)处理后的N型晶体硅基体的背表面形成穿透磷硅玻璃的槽状结构；(5)、将步骤(4)处理后的N型晶体硅基体放入碱性抛光液中，刻蚀掉背表面未被磷硅玻璃覆盖的n+重掺杂区域；(6)、对步骤(5)处理后的N型晶体硅基体进行背表面硼扩散处理，形成背表面p+掺杂区域；(7)、将步骤(6)处理后的N型晶体硅基体进行清洗处理，去除正表面磷硅玻璃层、正表面薄掩膜及背表面的磷硅玻璃层；(8)、在步骤(7)处理后的N型晶体硅基体的正表面设置钝化减反膜，在背表面设置钝化膜；(9)、通过丝网印刷的方法在步骤(8)处理后的N型晶体硅基体的背表面n+重掺杂区域上印刷n+金属电极浆料，在背表面p+掺杂区域上印刷p+金属电极浆料，并进行烧结处理。