[发明专利]集成电路装置有效
| 申请号： | 201710888495.X | 申请日： | 2017-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN108538810B | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 朴相真;权奇相;白在职;高镛璿;李光旭 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;韩明花 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种集成电路装置。所述集成电路装置包括：绝缘膜，位于基底上；下布线层，贯穿绝缘膜的至少一部分，下布线层包括第一金属；下导电阻挡膜，围绕下布线层的底表面和侧壁，下导电阻挡膜包括与第一金属不同的第二金属；第一金属硅化物盖层，覆盖下布线层的顶表面，第一金属硅化物盖层包括第一金属；第二金属硅化物盖层，接触第一金属硅化物盖层并且设置在下导电阻挡膜上，第二金属硅化物盖层包括第二金属。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 装置 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路装置，所述集成电路装置包括：绝缘膜，位于基底上；下布线层，贯穿绝缘膜的至少一部分，下布线层包括第一金属；下导电阻挡膜，围绕下布线层的底表面和侧壁，下导电阻挡膜包括与第一金属不同的第二金属；第一金属硅化物盖层，覆盖下布线层的顶表面，第一金属硅化物盖层包括第一金属；第二金属硅化物盖层，接触第一金属硅化物盖层并且设置在下导电阻挡膜上，第二金属硅化物盖层包括第二金属。
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