[发明专利]一种高质量灰锡单晶薄膜的低温外延制备方法有效
| 申请号： | 201710889208.7 | 申请日： | 2017-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN107723789B | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 芦红;宋欢欢 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B29/02 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 李媛媛 |
| 地址： | 210046 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高质量灰锡单晶薄膜的低温外延制备方法，具体步骤包括：(1)对(100)晶面的InSb衬底加热进行去氧化处理；(2)通过分子束外延的方法在InSb衬底上生长一层InSb缓冲层，生长温度为450℃；(3)在InSb缓冲层的表面沉积一层50nm厚的非晶Sb作为保护层，防止氧化；(4)在Ⅳ族分子束外延设备中，将InSb衬底加热至400℃去除非晶Sb；(5)通过分子束外延的生长方法，在10℃～15℃的条件下，生长灰锡薄膜，生长速率为0.025A/sec；最终得到20nm～100nm厚的灰锡单晶薄膜。本发明利用低温外延法制备的灰锡薄膜的相变温度由已知的13.2℃提高到了120℃。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 质量 灰锡单晶 薄膜 低温 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高质量灰锡单晶薄膜的低温外延制备方法，其特征在于，具体步骤包括：(1)首先对(100)晶面的InSb衬底加热进行去氧化处理；(2)通过分子束外延的方法在InSb衬底上生长一层InSb缓冲层；(3)在InSb缓冲层的表面沉积一层非晶Sb作为保护层，防止氧化；(4)在Ⅳ族分子束外延设备中，将步骤(3)得到的InSb衬底加热至400℃去除非晶Sb；(5)通过分子束外延的生长方法，在10℃～15℃的条件下，生长单质锡薄膜，生长速率为最终得到20nm～100nm厚的灰锡单晶薄膜。
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